本報訊 美國加州大學研究人員成功研制出一種納米激光器，可將功率超過200納瓦的光束聚焦為一個直徑僅為35納米的光點，從而使每平方厘米面積上的數(shù)據(jù)存儲量達到1.55太比特。此成果將給磁存儲產(chǎn)業(yè)帶來重大影響，尤其是備受關(guān)注的、被認為是最具前景的未來數(shù)據(jù)存儲技術(shù)之一的熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)。相關(guān)論文刊登在去年12月的《應(yīng)用物理通訊》上。

　　傳統(tǒng)存儲技術(shù)采用的是50年前的縱向磁記錄技術(shù)，而該技術(shù)總有一天會達到超順磁極限，屆時常規(guī)記錄媒介中的磁位元將變得很小，這將造成信息存儲的不穩(wěn)定。HAMR則是利用光束和磁場的共同作用，產(chǎn)生足夠的能量來轉(zhuǎn)換高度各向異性磁記錄介質(zhì)中的納米級磁位元的磁化方向。

　　但是，HAMR技術(shù)的瓶頸在于如何將足夠的能量聚焦到一個納米級的光點上。加州大學研究人員的納米激光技術(shù)就解決了這一問題，他們已實現(xiàn)了將超過200納瓦的功率聚焦到35納米直徑的光點上，這已遠遠超過開關(guān)納米磁位元的需求。研究人員表示聚焦點的直徑可進一步縮小至10納米。

　　為了制作納米激光器，研究人員在二極管激光器的發(fā)射端沉積一層金屬薄膜，然后使用鎵離子激光束蝕刻出一個納米尺寸的孔徑。這樣當光穿過小孔時，就會聚焦成一個納米光點。經(jīng)過各種不同形狀的孔徑實驗后，研究人員發(fā)現(xiàn)C型孔徑可通過最高光量。

　　研究人員稱，該項技術(shù)最快將在兩年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化，而且還有可能導致另一種新型數(shù)據(jù)存儲技術(shù)———蛋白基內(nèi)存的出現(xiàn)，預計這種新型數(shù)據(jù)存儲和記憶器件將在未來10年內(nèi)向市場發(fā)起沖擊。(記者馮衛(wèi)東)